Deprecated: preg_replace(): The /e modifier is deprecated, use preg_replace_callback instead in /home/chrysanthem.ru/web/chrysanthem.ru/public_html/engine/classes/templates.class.php on line 68 Deprecated: preg_replace(): The /e modifier is deprecated, use preg_replace_callback instead in /home/chrysanthem.ru/web/chrysanthem.ru/public_html/engine/classes/templates.class.php on line 72 Deprecated: preg_replace(): The /e modifier is deprecated, use preg_replace_callback instead in /home/chrysanthem.ru/web/chrysanthem.ru/public_html/engine/modules/show.full.php on line 241 Deprecated: preg_replace(): The /e modifier is deprecated, use preg_replace_callback instead in /home/chrysanthem.ru/web/chrysanthem.ru/public_html/engine/classes/templates.class.php on line 60 Deprecated: preg_replace(): The /e modifier is deprecated, use preg_replace_callback instead in /home/chrysanthem.ru/web/chrysanthem.ru/public_html/engine/classes/templates.class.php on line 64 Deprecated: preg_replace(): The /e modifier is deprecated, use preg_replace_callback instead in /home/chrysanthem.ru/web/chrysanthem.ru/public_html/engine/classes/templates.class.php on line 77 Расчет кинематической схемы перемещения тигля в установках
Популярное
загрузка...

Интересное
загрузка...
«    Ноябрь 2017    »
ПнВтСрЧтПтСбВс
 
1
2
3
4
5
6
7
8
9
10
11
12
13
14
15
16
17
18
19
20
21
22
23
24
25
26
27
28
29
30
 
Популярные статьи


Расчет кинематической схемы перемещения тигля в установках
  • Artik |
  • Раздел: Эзотерика |
  • Опубликовано: 16 мая, 23:05
  • Расчет кинематической схемы перемещения тигля в установках


    Развитие микроэлектроники тесно связано с решением проблемы выращивания качественных монокристаллов кремния большого диаметра. В производстве используется метод выращивания монокристаллов диаметром до 200 мм на установках Редмет 30. Возможно сти серийно-выпускаемых установок до настоящего времени ограничивались в связи с неоптимальной конструкцией узла перемещения тигля. Для увеличения производительности установок необходима модернизация указанного узла. В работе предложена и реализована новая кинематическая схема механизма перемещения тигля, проведен расчет предложенной кинематической схемы. Рассчитана механическая прочность предложенной кинематической схемы. Показано, что замена двигателя постоянного тока в приводе тигля на асинхронный трехфазный электродвигатель АИС71В4 позволяет более точно регулировать скорость вращения и подъема тигля. Использование предложенной конструкции позволяет увеличить экономическую эффективность модернизированной установки на 15. На схему модернизации установки выпущена конструкторская и технологическая документация.


    Методика градуировки устройств бесконтактного измерения температуры


    Узким вопросом в общей технологической цепи производства ИМС является управление температурой подложек на различных стадиях их обработки. Важность этого вопроса обусловлена жёсткой зависимостью между качеством продукции и точностью поддержания необходимых температур обрабатываемых объектов (подложек). Существующие контактные методы измерения температуры, применяемые в оборудовании микроэлектроники, не могут решить проблему быстродействующих и прецизионных измерений температуры подложек, в связи с этим ведётся поиск более прогрессивных средств контроля и управления температурой. Бесконтактные методы измерения температуры подложек основаны на использовании законов излучения чёрного тела. Однако, погрешность бесконтактных измерителей температуры в реальных условиях может на один- два порядка превосходить величину их собственной погрешности, приведённую в технических данных на прибор. Это связано с влиянием на результат бесконтактных измерений температуры величины коэффициента излучения контролируемой поверхности (об). Таким образом, с целью повения точности бесконтактных измерений температуры подложек, ставилась задача нахождения путей снижения погрешности, связанной с влиянием s об Для решения поставленной задачи, предложена методика градуировки устройств бесконтактного измерения температуры подложек непосредственно в рабочей камере технологической установки по аттестованному устройству контактного измерения действительной температуры подложки с возможно стью регулировки коэффициента излучения рабочей поверхности об в пределах от 0,1 до 0,98. После градуировки, устройство бесконтактного измерения температуры подложек устанавливают в систему контроля и управления температурным режимом технологической установки.


    Устройство для локального нанесения металлических пленок на базе источника плазмы высокой плотности


    Одним из недостатков метода ионно-плазменного нанесения пленок является низкий коэффициент использования распыляемого материала мишени. В технологии микроэлектроники и микромеханики существует проблема локального нанесения материалов, в частности, при распылении драгметаллов в производстве тепловизионных матриц, фильтров, линий задержки, устройств микромеханики и др. В статье предлагается конструктивное решение системы локального нанесения гонких пленок с использованием ВЧ-источника высокоинтенсивной индуктивно-связанной плазмы (СР-источника). Система состоит из ICP-источника и небольшого распыляемого электрода, размещенного между источником и изделием и перемещающегося над обрабатываемой поверхностью. Максимальный размер электрода-мишени обычно не превает 5 мм, что позволяет существенно снизить стоимость мишени и повысит эффективность ее использования. На электрод подается отрицательный потенциал, обеспечивающий его интенсивную бомбардировку ионами плазмы ICP-источника. На изделие также может подаваться потенциал смещения от отдельного источника для проведения очистки поверхности и управления электрофизическими свойствами наносимой пленки. Представлены результаты предварительных исследований разработанного экспериментального образца системы. В частности, исследовано влияние размеров электрода и его положения относительно изделия на скорость осаждения, условия локализации области формирования пленки, равномерность распыления, а также качественные характеристики слоя. Эксперимент проводился с использованием в качестве электрода-мишени серебряной проволоки диаметром от 0,25 до 1 мм. Расстояние от электрода до обрабатываемой поверхности варьировалось в диапазоне от 5 до 40 мм. Достигнуты скорости локального осаждения до 0,1 мкммин.


    Модель расчета равномерности нанесения резистивных пленок в установках магнетронного распыления барабанного типа


    Одной из важнейших задач в производстве тонкопленочных элементов интегральных схем является получение пленок с заданными электрофизическими свойствами, которые существенно зависят от равномерности пленки по толщине. В работе описана методика и приведены результаты оптимизации геометрических параметров внутрикамерного устройства установки магнетронного распыления барабанного типа с размещением магнетронного распылительного устройства (МРУ) на внешней стенке рабочей камеры. В качестве основного критерия оптимизации выбрана равномерность нанесения пленки по толщине. В общем случае толщина пленки зависит от эмиссионной характеристики источника и скорости распыления, расстояния между источником и поверхностью конденсации, угла распыления и угла конденсации. В разработанной математической модели зона эрозии мишени рассматривается, как суперпозиция точечных источников, описываемая методом интегрирования по поверхности мишени. Получено выражение для интенсивности потока как функции координат точки в плоскости подложки. Так как подложка совершает сложное движение относительно мишени, учитывается изменение геометрической ориентации подложки в пространстве. Полученные аналитические зависимости были реализованы в программе, написанной на языке Visual С1-1. С помощью разработанной программы построены профили распределения интенсивности потока на поверхность конденсации в зависимости от различных параметров расстояния от поверхности барабана до мишени, размеров подложки, диаметра барабана и его высоты. На основе результатов моделирования выбрано оптимальное соотношение геометрических параметров внутрикамерного устройства, при котором обеспечивается минимальная неравномерность толщины пленки.


    Автоматизация проектирования систем водоподготовки для производства изделия микроэлектроники


    В настоящее время, каждое предприятие для производства микроэлектроных изделий необходимо обеспечивать деионизованной водой с подачей более 10М3час. Для этих целей на таких производствах создаются специальные цеха с системой водоснабжения. Данная работа посвящена проблеме по автоматизаци проектирования систем водоподготовки деионизованной водой. Для решения поставленной задачи необходимо было разработать и реализовать структуру объектно-ориентированной системы, базу данных, алгоритм программы, расчёта характеристик системы. По заданным величинам был произведен расчёт водоподготовки для производства изделия микроэлектроники, проведена трассировка и гидравлический расчет водопроводной сети с использованием среды AutoCAD 2005. Открытость AutoCAD позволяет использовать в ней другие программные продукты и запускать программы написанные на различных языках программирования прямо из среды AutoCAD. В данной статье также рассматривалась технология создания пользовательского интерфейса в среде AutoCAD. Были рассмотренны методы его создания и способы его подгрузки к стандартному меню AutoCAD. В данном проекте была созданна и реализована универсальная система проектирования технологических трубопроводов для водоподготовки деионизованной воды что может значительно снизить экономические расходы при проектировании и эксплуатации водоподготовки, оптимизировать ввод основных параметров и режимов работы системы, а главное, повысить надежность работы системы и уменьшить сроки окупаемости.


    Пьезоэлектрическое сканирующее устройство


    Пьезоэлектрическое сканирующее устройство с перемещением в диапазоне 7x7 мкм по координатам X, Y и 1.5 мкм по Z используют в оборудовании типа Солвер (Solver Р47, -Р47Н, -LS250, -LS300, -UHV, -LT-UNV, -BIO) фирмы NT - MTD. Точность позиционирования сканирующего устройства может достигать 0.1 ангстрема. Для загрузки образца и подвода к зоне сканирования (по X, Y координатам) рациональнее использовать синхронный прецизионный двухкоординатный электродвигатель, состоящий из якоря и индуктора. Магнитные полюса якоря и индуктор имеют зубцовую нарезку с шагом 102.4 мкм и разделены аэродинамической подушкой 5 мкм. На якоре размещены четыре пьезоопоры с продольным перемещением по оси Z, которые создают регулируемые силы трения для гашения продольных колебаний, так как при фиксации положения якорь раскачивается как маятник под действием продольных сил, изменяющихся от величины положительной к отрицательной и обратно. Эти пьезоопоры при позиционировании в статическом режиме позволяют выставить образец в горизонтальной плоскости и перемещают его по оси Z до 100 мкм, подводя к сканирующему зонду (кантилеверу) с точностью до 1 нм. В электродвигателе по каждой координате используют механическое дробление шага км 8 и электрическое дробление шага кэ 128. В этом случае точность позиционирования достигается 100 нм без обратной связи. С использованием обратной связи по перемещению возможно позиционирование от 10 нм до размеров двух соседних атомов, свойства которых могут отличать датчики положения. контроль положения по каждой координате осуществляется двумя таймерами микропроцессора первый ведет подсчет по наносетке, а второй по зубцам индуктора. Воспроизведение в 10 нм достигается, если нарезка зубцов индуктора выполнена с точностью в 10 нм. Перемещение якоря по координатами или Y ограничено размерами индуктора (от 0.1 до 1 м).


    •  (голосов: 1)
    • Просмотров: 1101